Khác nhau giữa BJT và FET
1.Khác nhau giữa BJT và FET: BJT là linh kiện lưỡng cực, trong bóng bán dẫn có một dòng mang điện của cả điện tử là hạt tải điện đa số và lỗ trống là hạt tải điện thiểu số . FET là thiết bị đơn cực, trong bóng bán dẫn này chỉ có các dòng điện tử.
2. Vì FET không có lớp chuyển tiếp và tiếp giáp. Nên FET ít nhiễu hơn BJT.
3. FET có trở kháng đầu vào cao hơn nhiều (nhỏ hơn 100 M ohm) và trở kháng đầu ra thấp hơn và có mức độ cách ly cao giữa đầu vào và đầu ra, vì vậy FET có thể hoạt động như một bộ khuếch đại đệm nhưng BJT có trở kháng đầu vào thấp vì mạch đầu vào của nó được phân cực thuận.
4. FET là thiết bị điều khiển điện áp, tức là. điện áp tại cực đầu vào điều khiển dòng điện đầu ra, trong khi BJT là thiết bị điều khiển dòng điện, tức là. dòng điện đầu vào điều khiển dòng điện đầu ra.
5. FET dễ chế tạo hơn nhiều và đặc biệt thích hợp cho IC vì chúng chiếm ít không gian hơn BJT.
6. Hiệu suất của BJT bị suy giảm bởi bức xạ nơtron vì giảm thời gian hoạt động của các hạt mang điện thiểu số, trong khi FET có thể chịu được mức bức xạ cao hơn nhiều vì chúng không hoạt động trên các hạt mang điện thiểu số .
7. Hiệu suất của FET tương đối không bị ảnh hưởng bởi sự thay đổi nhiệt độ xung quanh. nó có hệ số nhiệt độ âm ở mức dòng cao, nó ngăn FET khỏi sự cố nhiệt. BJT có nhiệt độ dương đồng hiệu quả ở mức dòng cao dẫn đến sự cố về nhiệt.
8. FET có tốc độ chuyển mạch và tần số cắt cao hơn. BJT có tốc độ chuyển mạch và tần số cắt thấp hơn.
9.BJT được sản xuất rẻ hơn FET.
Ưu nhược điểm của BJT và FET
Ưu điểm của BJT – Khác nhau giữa BJT và FET :
BJT ở cùng kích thước vật lý và giá cả thường có thể cung cấp cho bạn tốc độ cao hơn rất nhiều, vì chúng có điện dung ở đầu vào nhỏ .
Các giai đoạn khuếch đại BJT tuyến tính hơn nhiều so với các giai đoạn khuếch đại MOSFET, vì độ lợi không phụ thuộc vào điện áp phân cực.
BJT có khả năng xử lý dòng đầu ra cao hơn cho đầu ra tín hiệu và có thể có trở kháng đầu ra thấp hơn. Trong các bộ khuếch đại nhằm điều khiển tải trở kháng đầu vào thấp hoặc cung cấp lượng công suất đáng kể, đây là một lợi thế rất lớn. Nhiều bộ khuếch đại op-amp chất lượng cao nhất được tạo ra bằng quy trình BiCMOS sử dụng cặp BJT cho giai đoạn đệm đầu ra.
Nhược điểm của BJT:
BJT là thiết bị hoạt động bằng dòng điện hơn là hoạt động bằng điện áp. Hầu hết thời gian điều này có nghĩa là tiêu thụ điện năng cao hơn.
BJT Phân cực ngược. Điều này có nghĩa là khit thiết kế bộ khuếch đại không cẩn thận có thể dễ dàng kết thúc với phản hồi dương và do đó không ổn định.
BJT có trở kháng đầu vào thấp hơn. Điều này có nghĩa là thiết bị trở kháng đầu ra cao hơn có thể không kết hợp tốt với đầu vào của bộ khuếch đại BJT.
Khó tạo ra mạch điều tiết dòng qua trở tải tốt từ BJT hơn là FET.
Ưu điểm cho MOSFET:
Trở kháng đầu vào cao. Ở tần số thấp, về cơ bản là vô hạn.
Vì các đầu ra được điều khiển bởi điện áp đầu vào thay vì dòng điện đầu vào, chúng tiêu thụ có thể tiêu thụ rất ít điện năng. Lý do khiến logic CMOS thắng thế hơn các công nghệ xử lý khác là tiêu thụ điện năng, kết hợp với khả năng mở rộng. Trong mạch CMOS, công suất gate to gate chỉ được tiêu thụ khi mạch chuyển trạng thái, trong khi các dạng logic khác tiêu thụ điện năng ở vị trí “bật” hoặc “tắt”.
Xem xét rằng hầu hết các mạch kỹ thuật số là CMOS, sử dụng FETS cho thiết kế mạch tương tự rẻ hơn rất nhiều so với sử dụng BJT vì nó không yêu cầu thêm các bước cài đặt khác.
Việc kết hợp bóng bán dẫn với bóng bán dẫn rất đơn giản.
MOSFET dễ thiết kế mạch ổn định hơn. Trừ khi bạn thêm phản hồi, chúng sẽ hoạt động không ổn định.
Nhược điểm của MOSFET – Khác nhau giữa BJT và FET:
Không có độ tin cậy cao như BJT, vì độ lợi sẽ thay đổi một chút khi bạn tăng điện áp đầu vào (nghĩa là, nó sẽ tạo ra một số sóng hài rất yếu).
Điện dung đầu vào. Độ lợi càng cao thì điện dung đầu vào càng lớn nhờ hiệu ứng Miller.
Không thể điều khiển tải trở kháng thấp rất tốt.
Độ lợi mỗi phần thấp, thường có nghĩa là cần nhiều tầng khuếch đại hơn để có độ lợi cao hơn, ngay cả khi sử dụng các kỹ thuật thiết kế tiên tiến. Mỗi tầng khuếch đại thêm nhiễu – nghĩa là bạn không bao giờ có thể có được tỷ lệ tín hiệu không có nhiễu ở đầu ra tốt hơn ở đầu vào.