Tính toán mạch snubber RCD  đôi khi được gọi là kẹp RCD vì nó thực sự kẹp các xung điện áp. Kẹp RCD hoạt động như một nguồn điện áp trở kháng thấp. Nó có ba thành phần chính như tên của nó; điện trở đối với R, điện dung đối với C,D đối với điốt. Điện trở sẽ tiêu tán năng lượng khỏi năng lượng rò được lưu trữ trong khi tụ điện để giảm gợn của nguồn DC . Diode hoạt động như một công tắc một chiều. Mạch bên dưới được bao bọc trong hình chữ nhật màu xanh là RCD snubber.

Kẹp RCD hoặc snubber thường được sử dụng trong bộ chuyển đổi flyback, vì vậy chúng tôi sẽ thiết kế các giá trị RCD dựa trên flyback.

Để suy ra các phương trình, điều rất quan trọng là phải biết dạng sóng và cách phân tích nó. Tôi đang hiển thị ở đây các công thức dẫn xuất nhưng bạn đừng nhớ ghi nhớ nó, chỉ cần sử dụng công thức tôi đã suy ra.

Điện áp Vclamp :

Trong phương trình trên, “OF” là viết tắt của “yếu tố khác”. Trong các dẫn xuất trước đây, giả định rằng dòng điện sẽ chỉ chạy đến kẹp RCD và diode Dsn có thời gian phục hồi thuận lý tưởng bằng không. Trong thiết kế thực tế, một phần dòng điện có thể chảy đến tụ xả và thời gian phục hồi thuận của diode không bằng 0. Điều này sẽ làm cho điện áp kẹp được tính toán nhỏ hơn thực tế. Để bù đắp điều này, phải thêm lượng bổ sung. Một ước tính tốt là đặt OF thành 20-30%.

Tính toán tụ :

Một số cho rằng tụ điện phải đủ lớn để điện áp kẹp không thay đổi nhiều trong một chu kỳ chuyển mạch.
Một kinh nghiệm trong việc chọn tụ điện là đặt tỷ lệ Vremained cho Vclamp thành 50%. Điều này có nghĩa là điện áp gợn của mạch kẹp bằng một nửa điện áp kẹp. Trên là toàn bộ tính toán mạch snubber còn dưới đây là :

Công suất tiêu tán trên điện trở có thể được tính như sau:

PRsn = Vclamp^2 / Rsn

Lựa chọn diode: Diode trong RCD snubber phải được đánh giá cho ít nhất là điện áp đỉnh xuất hiện trên Cs. Nói chung, dòng điện trung bình trong diode là tương đối nhỏ nhưng dòng điện đỉnh là đáng kể. Dòng điện đỉnh phải là cơ sở để lựa chọn diode. Thời gian khôi phục ngược diode (trr) có thể ảnh hưởng đến hành động snubber và điốt nhanh hoặc cực nhanh với trr <100 ns thường được sử dụng. Hiệu suất của diode cần được xác minh trong mạch để đảm bảo snubber hoạt động như mong đợi. Khi xếp hạng điện áp của điốt được tăng lên và điốt phục hồi nhanh hơn được chọn, thời gian phục hồi thuận (trr) có thể trở thành một vấn đề cần xem xét. Điều này là do điện áp ban đầu giảm trên diode, theo chiều thuận, có thể cao hơn nhiều so với giá trị dẫn ở trạng thái ổn định trong vài trăm nsec. Vấn đề này càng trở nên trầm trọng hơn do dI / dt rất cao của các dạng sóng hiện tại snubber điển hình. Vào thời điểm bật hết diode, xung dòng điện snubber có thể kết thúc lâu. Có thể cần thử nhiều loại thiết bị khác nhau trong mạch thực tế để có được hiệu suất thỏa đáng